I silicijumski i germanijumski tranzistori imaju funkciju pojačanja struje. Razlika je u tome što je napon mrtve zone silicijumskih tranzistora veći od napona germanijumskih tranzistora; napon uključivanja silicijumskih tranzistora je oko 0.7V, a napon uključivanja germanijumskih tranzistora je oko 0.3V;
Reverzna struja silicijumskih tranzistora je mnogo manja nego kod germanijumskih tranzistora; maksimalna radna temperatura koju dozvoljavaju silicijumski tranzistori je viša od one za germanijumske tranzistori; silicijumski tranzistori su stabilniji od germanijumskih tranzistori.
